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参数资料
| 型号： | IXTH200N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH200N10T
IXTQ200N10T
250
Fig. 7. Input Admittance
160
Fig. 8. Transconductance
225
200
175
150
140
120
100
T J = - 40oC
25oC
125
100
T J = 150oC
25oC
- 40oC
80
60
150oC
75
40
50
25
0
20
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
270
240
210
180
150
9
8
7
6
5
V DS = 50V
I D = 25A
I G = 10mA
120
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1MHz
Ciss
10,000
0.10
Coss
1,000
Crss
100
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_200N10T(6V)9-30-08-D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| IXTH220N055T | MOSFET N-CH 55V 220A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXTH20N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH20N55MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH20N60 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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