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参数资料
| 型号： | IXTH200N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH200N10T
IXTQ200N10T
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 (IXTH) Outline
g fs
C iss
V DS = 10V, I D = 60A , Note 1
60
96
9400
S
pF
C oss
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
1087
pF
1
2
3
?P
C rss
140
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 50A
R G = 3.3 Ω (External)
35
31
45
34
ns
ns
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
e
2 - Drain
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCH
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 50A
152
47
47
0.25
nC
nC
nC
0.27 ° C/W
° C/W
Dim. Millimeter Inches
Min. Max. Min. Max.
A 4.7 5.3 .185 .209
A 1 2.2 2.54 .087 .102
A 2 2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
b 1 1.65 2.13 .065 .084
b 2 2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
I S V GS = 0V
I SM Repetitive, Pulse width limited by T JM
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
200
500
A
A
E 15.75 16.26 .610 .640
e 5.20 5.72 0.205 0.225
L 19.81 20.32 .780 .800
L1 4.50 .177
? P 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.89 6.40 0.232 0.252
R 4.32 5.49 .170 .216
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = 50A, V GS = 0V, Note 1
I F = 100A, V GS = 0V,-di/dt = 100A/ μ s
V R = 50V
76
205
5.4
1.0
V
ns
nC
A
TO-3P (IXTQ) Outline
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
2. On through-hole packages, R DS(on) Kelvin test contact
location must be 5mm or less from the package body.
Pins: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source 4, TAB - Drain
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| IXTH220N055T | MOSFET N-CH 55V 220A TO-247 |
| IXTH220N075T | MOSFET N-CH 75V 220A TO-247 |
| IXTH230N085T | MOSFET N-CH 85V 230A TO-247 |
| IXTH240N055T | MOSFET N-CH 55V 240A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH20N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH20N55MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH20N55MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH20N60 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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