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参数资料
| 型号： | IXTH20N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 20N60
IXTM 20N60
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
40
T J = 25 ° C
V GS = 10V
6V
40
30
30
T J = 25°C
20
10
0
5V
20
10
0
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
1.40
1.35
1.30
1.25
T J = 25°C
2.50
2.25
2.00
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
V GS = 10V
V GS = 15V
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
I D = 10A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
35
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
1.2
30
25
20
15
10
5
0
20N60
15N60
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
V GS(th)
BV DSS
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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