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参数资料
| 型号： | IXTH24N50L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Linear TM Power MOSFET
w/ Extended FBSOA
IXTH24N50L
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
500V
24A
300m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
V
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
500
± 30
± 40
V
V
V
G
D
S
Tab
I D25
I DM
I A
E AS
P D
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
24
50
12
1.5
400
-55 ... +150
A
A
A
J
W
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
T JM
T stg
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque
150
-55 ... +150
300
260
1.13 / 10
6
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
? Designed for Linear Operation
? International Standard Package
? Avalanche Rated
? Molding Epoxy Meets UL94 V-0
Flammability Classification
Advantages
? Easy to Mount
? Space Savings
? High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
500
3.5
V
6.0 V
± 100 nA
50 μ A
500 μ A
?
?
?
?
?
?
Programmable Loads
Current Regulators
DC-DC Converters
Battery Chargers
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
R DS(on)
V GS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
300 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99125B(01/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH24N50Q | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH24N50MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH24N50MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH24P20 | 功能描述:MOSFET -24 Amps -200V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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