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参数资料
| 型号： | IXTH24N50L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH24N50L
24
Fig. 1. Output Characteristics
@ T J = 25oC
55
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ T J = 25oC
20
V GS = 20V
16V
14V
12V
50
45
V GS = 20V
16V
14V
40
16
35
12
8
10V
9V
30
25
20
12V
10V
15
4
0
8V
7V
6V
10
5
0
9V
8V
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V D
S
- Volts
V D
S
- Volts
24
Fig. 3. Output Characteristics
@ T J = 125oC
3.2
Fig. 4. R DS(on) Normalized to 0.5 I D25 Value
vs. Junction Temperature
20
16
V GS = 20V
14V
12V
10V
2.8
2.4
V GS = 20V
I D = 24A
2.0
12
8
4
9V
8V
7V
1.6
1.2
0.8
I D = 12A
6V
0
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V D
S
- Volts
T J - Degrees Centigrade
3.2
2.8
Fig. 5. R DS(on) Normalized to
0.5 I D25 Value vs. I D
V GS = 20V
T J = 125oC
24
20
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
2.4
16
2
1.6
12
8
1.2
0.8
T J = 25oC
4
0
0
10
20
30
40
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH24N50Q | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTH250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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