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参数资料
| 型号： | IXTH280N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 280A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
TrenchMV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTH280N055T
IXTQ280N055T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 55V
= 280A
≤ 3.2m Ω
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
55
55
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
Transient
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 20
280
75
600
V
A
A
A
TO-3P (IXTQ)
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
40
1.5
550
A
J
W
G
D
S
(TAB)
T J
T JM
-55 ... +175
175
° C
° C
T stg
T L
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
-55 ... +175
300
260
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque (TO-247)(TO-3P)
TO-247
TO-3P
1.13 / 10
6.0
5.5
Nm/lb.in.
g
g
International standard packages
175°C Operating Temperature
Avalanche Rated
Low R DS(on)
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to mount
Space savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
55
V
High power density
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.0
V
Applications
I GSS
I DSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
± 200 nA
5 μ A
Automotive
- Motor Drives
R DS(on)
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 50A , Notes 1, 2
2.6
250 μ A
3.2 m Ω
- High Side Switch
- 12V Battery
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary - Side Switch
High Current Switching Applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99630A(07/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH28N50Q | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 |
| IXTH2R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 |
| IXTH30N25 | MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 |
| IXTH30N50P | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| IXTH30N50 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH28N50Q | 功能描述:MOSFET 28 Amps 500 V 0.20 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH2N170D2 | 功能描述:MOSFET N-channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH2R4N120P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH300N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N25 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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