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参数资料
| 型号： | IXTH30N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 227nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
MegaMOS TM FET
N-Channel Enhancement Mode
IXTH 30N50
V DSS = 500 V
I D (cont) = 30 A
R DS(on) = 0.17 ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
500
500
± 20
V
V
V
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
30
120
V
A
A
D (TAB)
P D
T J
T C = 25 ° C
360
-55 ... +150
W
° C
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
T JM
T stg
150
-55 ... +150
° C
° C
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
° C
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
Weight
6
g
International standard package
JEDEC TO-247 AD
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Fast switching times
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
V DSS
V GS = 0 V, I D = 5 mA
BV DSS temperature coefficient
500
.087
V
%/k
Motor controls
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2
4
V
DC choppers
V GS(th) temperature coefficient
-0.25
%/k
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
Advantages
I DSS
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
3
μ A
mA
Easy to mount with 1 screw
(TO-247)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
R DS(on)
30N50
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.17
?
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
94569-E (8/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH360N055T2 | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 |
| IXTH36P10 | MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 |
| IXTH3N100P | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247 |
| IXTH3N120 | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 |
| IXTH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH30N50L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N50L2 | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N50P | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N60L2 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N60P | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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