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参数资料
| 型号： | IXTH360N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 935W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchT2 TM Power
MOSFET
IXTH360N055T2
IXTT360N055T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 55V
= 360A
≤ 2.4m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-247 (IXTH)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
Maximum Ratings
55
V
G
D
S
(TAB)
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
55
V
V GSM
I D25
I LRMS
Transient
T C = 25 ° C (Chip Capability)
Lead Current Limit, RMS
± 20
360
160
V
A
A
TO-268 (IXTT)
I DM
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
900
180
960
935
A
A
mJ
W
G
S
D (TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque (TO-247)
TO-247
TO-268
300
260
1.13 / 10
6
4
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
International Standard Package
175°C Operating Temperature
High Current Handling Capability
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Low R DS(on)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
55
V
Easy to Mount
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
2.0
4.0
± 200
V
nA
Space Savings
High Power Density
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 100A, Note 1
T J = 150 ° C
10 μ A
300 μ A
2.4 m Ω
Applications
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary- Side Switch
High Current Switching Applications
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100169A(8/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH36P10 | MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 |
| IXTH3N100P | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247 |
| IXTH3N120 | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 |
| IXTH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| IXTH41N25 | MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH36N20T | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH36P10 | 功能描述:MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH36P15P | 功能描述:MOSFET PolarP Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH39N08MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
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