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参数资料
| 型号： | IXTH360N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 935W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH360N055T2
IXTT360N055T2
200
180
160
Fig. 7. Input Admittance
240
200
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
140
160
25oC
120
100
80
120
150oC
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
80
40
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 27.5V
250
200
150
8
7
6
5
I D = 180A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
50
100
150
200
250
300
350
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
10,000
Ciss
100
External Lead Current Limit
100μs
1ms
1,000
Coss
10
10ms
100ms
T J = 175oC
DC
100
Crss
1
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_360N055T2(V8)7-14-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH36P10 | MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 |
| IXTH3N100P | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247 |
| IXTH3N120 | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 |
| IXTH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| IXTH41N25 | MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH36N20T | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH36P10 | 功能描述:MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH36P15P | 功能描述:MOSFET PolarP Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH39N08MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
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