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参数资料
| 型号： | IXTH3N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
High Voltage
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt
IXTH 3N120
V DSS
I D25
V DS(on)
= 1200 V
= 3A
= 4.5 ?
Preliminary Data Sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
3N120
3N110
3N120
3N110
1200
1100
1200
1100
V
V
V
V
TO-247
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
S
D (TAB)
I D25
T C = 25 ° C
3
A
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
12
3
20
A
A
mJ
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
E AS
700
mJ
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
5
150
-55 to +150
150
-55 to +150
300
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Features
International standard packages
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
Switching (UIS)
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Advantages
Weight
6
g
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
1200
2.5
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4.5
± 100
25
1
4.5
V
V
nA
μ A
mA
?
Note 1
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99025(03/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| IXTH41N25 | MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A |
| IXTH440N055T2 | MOSFET N-CH 55V 440A TO-247 |
| IXTH450P2 | MOSFET N-CH 500V 16A TO247 |
| IXTH48N15 | MOSFET N-CH 150V 48A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH3N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH40N25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH40N30 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH40N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXTH40N50L2 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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