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参数资料
| 型号： | IXTH48N15 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 48A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 500mA，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
High Current
Power MOSFET
IXTH 48N15
IXTT 48N15
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150 V
= 48 A
= 32 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXTH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
150
150
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
48
192
48
30
V
V
A
A
A
mJ
TO-268 (IXTT) Case Style
(TAB)
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.0
5
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
J
V/ns
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
G
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
q
International standard packages
M d
Weight
Mounting torque
TO-247 AD
TO-268
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
4 g
q
q
q
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
q
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
150 V
Advantages
q
q
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250μ A
2.0
4.0
V
q
High power density
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
25
250
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
32
m ?
? 2002 IXYS All rights reserved
98926-A (10/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH48N20 | MOSFET N-CH 200V 48A TO-247 |
| IXTH48P20P | MOSFET P-CH 200V 48A TO-247 |
| IXTH500N04T2 | MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 |
| IXTH50N20 | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD |
| IXTH52P10P | MOSFET P-CH 100V 52A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH48N20 | 功能描述:MOSFET 48 Amps 200V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH48N20T | 功能描述:MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH48P20P | 功能描述:MOSFET -48.0 Amps -200V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH4N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH500N04T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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