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参数资料
| 型号： | IXTH440N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 440A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 440A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 405nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
TrenchT2 TM
Power MOSFET
IXTH440N055T2
IXTT440N055T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 55V
= 440A
≤ 1.8m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-247 (IXTH)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
Maximum Ratings
55
V
G
D
S
D (Tab)
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
55
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
TO-268 (IXTT)
I D25
I LRMS
I DM
I A
T C = 25 ° C (Chip Capability)
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
440
160
1200
200
A
A
A
A
G
S
D (Tab)
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1.5
1000
J
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
T JM
-55 ... +175
175
° C
° C
T stg
-55 ... +175
° C
Features
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque (TO-247)
TO-247
TO-268
300
260
1.13 / 10
6
4
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
International Standard Packages
175°C Operating Temperature
High Current Handling Capability
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Low R DS(on)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 1mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
55
V
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 150 ° C
2.0
4.0
± 200
10
750
V
nA
μ A
μ A
High Power Density
Applications
DC/DC Converters and Off-line UPS
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 100A, Notes 1 & 2
1.8 m Ω
Primary- Side Switch
High Current Switching Applications
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100220(12/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH450P2 | MOSFET N-CH 500V 16A TO247 |
| IXTH48N15 | MOSFET N-CH 150V 48A TO-247 |
| IXTH48N20 | MOSFET N-CH 200V 48A TO-247 |
| IXTH48P20P | MOSFET P-CH 200V 48A TO-247 |
| IXTH500N04T2 | MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH44N30T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH44P15T | 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH450P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH460P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH48N15 | 功能描述:MOSFET 48 Amps 150V 0.032 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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