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参数资料
| 型号： | IXTH360N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 935W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH360N055T2
IXTT360N055T2
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
60
50
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
60
50
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
T J = 125oC
40
40
30
I
D = 100A
30
20
10
0
I
D
= 200A
20
10
T J = 25oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
500
120
90
110
450
400
350
300
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 200A
110
100
90
80
80
70
60
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 100A
100
90
80
250
70
200
I D = 100A
60
50
70
150
50
40
I D = 200A
60
100
40
50
0
30
20
30
20
50
40
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
75
120
500
500
70
65
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
110
100
450
400
350
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 100A, 200A
450
400
350
60
55
90
80
300
250
300
250
50
T J = 25oC, 125oC
70
200
200
150
150
45
60
100
100
40
35
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40
50
0
50
0
40
60
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100
120
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200
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I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH36N20T | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH36P10 | 功能描述:MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH36P15P | 功能描述:MOSFET PolarP Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH39N08MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
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