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参数资料
| 型号： | IXTH24N50L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH24N50L
35
30
25
Fig. 7. Input Admittance
14
12
10
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
20
8
25oC
125oC
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
6
4
2
0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
5
10
15
20
25
30
35
V G S - Volts
I
D
- Amperes
80
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
20
Fig. 10. Gate Charge
70
60
50
40
30
T J = 125oC
18
16
14
12
10
8
6
V DS = 250V
I D = 12A
I G = 10mA
20
10
0
T J = 25oC
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V S D - Volts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1MHz
C iss
1000
0.1
C oss
100
C rss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V D
S
- Volts
Pulse Width - second
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTH24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTH250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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