参数资料
型号: IXTH24N50L
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
标准包装: 30
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫欧 @ 500mA,20V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 160nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V
功率 - 最大: 400W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXTH24N50L
100
Fig. 13. Forward-Bias Safe
Operating Area @ T C = 25oC
R DS (on) Limit
25μs
100
Fig. 14. Forward-Bias Safe
Operating Area @ T C = 60oC
R DS(on) Limit
25μs
100μs
100μs
10
1ms
10ms
10
1ms
1
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
1
0.1
T J = 150oC
T C = 60oC
Single Pulse
DC
10ms
10
100
1000
10
100
1000
V D S - Volts
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V D S - Volts
IXYS REF: T_24N50L(7N)01-10-11-C
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PDF描述
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参数描述
IXTH24N50MA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5)
IXTH24N50MB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5)
IXTH24N50Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH24P20 功能描述:MOSFET -24 Amps -200V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH250N075T 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube