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参数资料
| 型号： | IXTH22N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2630pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTH 22N50P
IXTQ 22N50P
IXTV 22N50P
IXTV 22N50PS
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500 V
= 22 A
≤ 270 m Ω
TO-247 (IXTH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
500
500
V
V
G
D
S
(TAB)
V GS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
± 40
22
66
V
V
A
A
TO-3P (IXTQ)
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
22
30
750
A
mJ
mJ
G
D
S
(TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
10
V/ns
PLUS220 (IXTV)
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 Ω
P D
T C = 25 ° C
350
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G
D
S
D (TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
PLUS220SMD (IXTV...S)
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-3P
PLUS220 & PLUS220SMD
5.5
4
g
g
G
S
D (TAB)
G = Gate
D = Drain
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
S = Source
TAB = Drain
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
500
V
Features
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
3.0
5.5
± 10
V
nA
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
5 μ A
50 μ A
270 m Ω
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99351E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FVXO-PC73B-256 | OSC 256 MHZ 3.3V PECL SMD |
| FOXLF160-20 | CRYSTAL 16.0 MHZ 20PF |
| AML26GBB3CA05RR | SWITCH ROCKER DP3T 3A 125V |
| AML26GBF8BA01GY | SWITCH ROCKER SPDT 100MA 125V |
| FXO-LC728-155.52 | OSC 155.52 MHZ 2.5V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH22P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH22P20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH230N085T | 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH23N25MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH23N25MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247(5) |
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