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参数资料
| 型号： | IXTH22N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2630pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH 22N50P IXTQ 22N50P
IXTV 22N50P IXTV 22N50PS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
TO-247 (IXTH) Outline
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
20
2630
S
pF
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
310
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
27
25
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I D25
27
ns
A 1
A 2
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
R thCS
R G = 10 Ω (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-247)
(TO-3P)
75
21
50
16
18
0.21
0.21
ns
ns
nC
nC
nC
0.35 K/W
K/W
K/W
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 4.7 5.3
2.2 2.54
2.2 2.6
b 1.0 1.4
1.65 2.13
b 1
b 2
2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
2 - Drain
Tab - Drain
Inches
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
Source-Drain Diode
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 22 A, -di/dt = 100 A/ μ s, V GS = 0 V
400
16
55
1.5
A
A
V
ns
TO-3P (IXTQ) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FVXO-PC73B-256 | OSC 256 MHZ 3.3V PECL SMD |
| FOXLF160-20 | CRYSTAL 16.0 MHZ 20PF |
| AML26GBB3CA05RR | SWITCH ROCKER DP3T 3A 125V |
| AML26GBF8BA01GY | SWITCH ROCKER SPDT 100MA 125V |
| FXO-LC728-155.52 | OSC 155.52 MHZ 2.5V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH22P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH22P20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH230N085T | 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH23N25MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH23N25MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247(5) |
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