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参数资料
| 型号： | IXTH230N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 230A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 187nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH230N085T
IXTQ230N085T
240
Fig. 7. Input Admittance
180
Fig. 8. Transconductance
220
200
180
160
160
140
120
T J = - 40oC
25oC
140
120
100
80
60
T J =150oC
25oC
- 40oC
100
80
60
40
150oC
40
20
0
20
0
3.3
3.6
3.9
4.2
4.5
4.8
5.1
5.4
5.7
6
6.3
6.6
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 220 240
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
270
240
210
180
150
9
8
7
6
5
V DS = 43V
I D = 25A
I G = 10mA
120
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V SD - Volts
Q G - NanoCoulombs
100,000
Fig. 11. Capacitance
1.00
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1 MHz
C iss
10,000
0.10
C oss
1,000
C rss
100
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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