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参数资料
| 型号： | IXTH24N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q2768977 |
IXTH 21N50
IXTM 21N50
IXTH 24N50
IXTM 24N50
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
50
45
40
T J = 25°C
V GS = 10V
7V
6V
50
45
40
35
30
35
30
25
20
25
20
T J = 25° C
15
10
5
0
5V
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.6
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
2.50
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
1.5
1.4
1.3
T J = 25° C
2.25
2.00
1.75
1.2
1.1
V GS = 10V
V GS = 15V
1.50
1.25
1.00
I D = 12A
1.0
0.9
0.75
0.50
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
30
24N50
1.2
1.1
1.0
V GS(th)
BV CES
20
10
0
21N50
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH260N055T2 | MOSFET N-CH 55V 260A TO-247 |
| IXTH280N055T | MOSFET N-CH 55V 280A TO-247 |
| IXTH28N50Q | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 |
| IXTH2R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH24N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXTH24N50L | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH24N50MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH24N50MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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