- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录462 > IXTH24N50Q (IXYS)MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTH24N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 82nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 24N50Q
IXTT 24N50Q
24
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
60
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
21
18
15
12
9
6
3
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
54
48
42
36
30
24
18
12
6
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
24
21
18
15
V GS = 10V
7V
6V
3.1
2.8
2.5
2.2
V GS = 10V
12
9
5V
1.9
1.6
1.3
I D = 24A
I D = 12A
6
3
0
1
0.7
0.4
0
2
4
6 8 10
V D S - Volts
12
14
16
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
3.5
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
V GS = 10V
25
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3
T J = 125oC
20
2.5
15
2
10
1.5
1
0.5
T J = 25oC
5
0
0
12
24
36
48
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
| IXTH260N055T2 | MOSFET N-CH 55V 260A TO-247 |
| IXTH280N055T | MOSFET N-CH 55V 280A TO-247 |
| IXTH28N50Q | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 |
| IXTH2R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH24P20 | 功能描述:MOSFET -24 Amps -200V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH260N055T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH26N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH26N50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。