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参数资料
| 型号： | IXTH260N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 260A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 260A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH260N055T2
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
200
180
160
140
120
140
120
100
80
T J = - 40oC
25oC
150oC
100
80
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
360
320
280
240
200
160
10
9
8
7
6
5
4
V DS = 28V
I D = 130A
I G = 10mA
120
80
40
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS( on ) Limit
10,000
Ciss
100
25μs
100μs
External Lead Current Limit
1,000
Coss
10
1ms
100
Crss
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_260N055T2(V6)12-15-08-B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH280N055T | MOSFET N-CH 55V 280A TO-247 |
| IXTH28N50Q | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 |
| IXTH2R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 |
| IXTH30N25 | MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 |
| IXTH30N50P | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH26N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH26N50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH26N60P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH26P20P | 功能描述:MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH27N35MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5) |
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