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参数资料
| 型号： | IXTH48N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 48A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 275W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 48N20
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-247 AD Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
24
32
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3000
550
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
180
19
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
19
ns
t d(off)
R G = 3.6 ? (External)
79
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
17
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q G(on)
110
nC
Min. Max.
A 4.7 5.3
Min. Max.
.185 .209
A 1
A 2
Q GS
Q GD
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
20
55
nC
nC
2.2 2.54
2.2 2.6
b 1.0 1.4
.087 .102
.059 .098
.040 .055
R thJC
0.45
K/W
b 1
b 2
1.65 2.13
2.87 3.12
.065 .084
.113 .123
R thCK
0.25
K/W
C .4 .8
D 20.80 21.46
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25 A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
250
3.0
48
192
1.5
A
A
V
ns
μ C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH48P20P | MOSFET P-CH 200V 48A TO-247 |
| IXTH500N04T2 | MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 |
| IXTH50N20 | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD |
| IXTH52P10P | MOSFET P-CH 100V 52A TO-247 |
| IXTH5N100A | MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH48N20T | 功能描述:MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH48P20P | 功能描述:MOSFET -48.0 Amps -200V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH4N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH500N04T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH50N15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-218VAR |
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