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参数资料
| 型号： | IXTH6N50D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 6A TO247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 3A，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 96nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA6N50D2 IXTP6N50D2
IXTH6N50D2
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
6
5
4
V GS = 5V
3V
2V
1V
40
35
30
25
V GS = 5V
4V
3V
2V
0V
3
20
1V
2
1
0
-1V
-2V
15
10
5
0
0V
-1V
-2V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
5
10
15
20
25
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. Drain Current @ T J = 25oC
6
5
V GS = 5V
2V
1V
1E+00
1E-01
V GS = - 2.25V
- 2.50V
- 2.75V
4
3
2
1
0
0V
-1V
-2V
1E-02
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
- 3.00V
- 3.25V
- 3.50V
- 3.75V
0
1
2
3
4
5
0
100
200
300
400
500
600
1.E+00
V DS - Volts
Fig. 5. Drain Current @ T J = 100oC
V GS = -2.50V
1.E+09
V DS - Volts
Fig. 6. Dynamic Output Resistance vs. Gate Voltage
? V DS = 350V - 100V
1.E-01
-2.75V
1.E+08
-3.00V
1.E+07
1.E-02
-3.25V
1.E-03
-3.50V
-3.75V
1.E+06
1.E+05
T J = 100oC
T J = 25oC
1.E-04
1.E-05
-4.00V
1.E+04
1.E+03
0
100
200
300
400
500
600
-4.2
-4.0
-3.8
-3.6
-3.4
-3.2
-3.0
-2.8
-2.6
-2.4
-2.2
-2.0
V DS - Volts
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RF150PD6 | RF MODULE 250KBPS 2.4GHZ SMA |
| A039 | SPADE TERMINAL SET |
| RF100PD6 | RF ENGINE EXT ANT MAX RANGE |
| DP-241-4-12 | XFRMR PWR 115/230V 12.6VCT .50A |
| RF301PU1 | RF MODULE 150KBPS 868MHZ U.FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH6N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode |
| IXTH6N80A | 功能描述:MOSFET 6 Amps 800 V 1.4 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH6N90 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 900V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH6N90A | 功能描述:MOSFET 6 Amps 900V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH72N20 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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