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参数资料
| 型号： | IXTK100N25P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTK 100N25P
IXTQ 100N25P
IXTT 100N25P
V DSS = 250 V
I D25 = 100 A
R DS(on) ≤ 27 m ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 (IXTK)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
250
250
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
S
D (TAB)
I D25
T C = 25 ° C
100
A
I D(RMS)
I DM
I AR
E AR
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
75
250
60
60
A
A
A
mJ
TO-3P (IXTQ)
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
2.0
10
J
V/ns
G
D
S
(TAB)
P D
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
600
W
TO-268 (IXTT)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G
S
D (TAB)
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Weight
TO-3P
TO-264
TO-268
5.5
10
5.0
g
g
g
Features
l
International standard packages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
250
V
- easy to drive and to protect
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.5
5.0
V
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
Advantages
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
250
μ A
μ A
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
27
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99118E(12/05)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC736R-106.25 | OSC 106.25 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32653A4105K | FILM CAP 1UF 10% 400V MKP |
| 5110.0643.3 | MOD INLET W/MED FILTER 6A SNAP |
| M2022LL1W01-C | SW TOGGLE DPDT LVR LOCK THR SLD |
| B32653A174J | FILM CAP 0.17UF 5% 1000V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK110N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK110N30 | 功能描述:MOSFET 110 Amps 300V 0.026 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.020 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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