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参数资料
| 型号： | IXTK100N25P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK 100N25P IXTQ 100N25P
IXTT 100N25P
150
Fig. 7. Input Adm ittance
90
80
Fig. 8. Trans conductance
125
100
70
60
T J = -40oC
25oC
125oC
50
75
40
50
25
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V GS - V olts
Fig. 9. Source Cur r e nt vs .
Sour ce -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 125V
I D = 50A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V SD - V olts
1.2
1.4
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180 200
Q G - nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. For w ar d-Bias
Safe Ope r ating Are a
C is s
100
R DS (on) Lim it
1m s
100μs
T J = 150oC
T C = 25oC
25μs
1000
100
f = 1MH z
C os s
C rs s
10
1
DC
10m s
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
10
100
V DS - V olts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC736R-106.25 | OSC 106.25 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32653A4105K | FILM CAP 1UF 10% 400V MKP |
| 5110.0643.3 | MOD INLET W/MED FILTER 6A SNAP |
| M2022LL1W01-C | SW TOGGLE DPDT LVR LOCK THR SLD |
| B32653A174J | FILM CAP 0.17UF 5% 1000V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK110N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK110N30 | 功能描述:MOSFET 110 Amps 300V 0.026 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.020 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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