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参数资料
| 型号： | IXTK17N120L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 8.5A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Linear TM Power MOSFET
w/ Extended FBSOA
IXTK17N120L
IXTX17N120L
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1200V
= 17A
< 900m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Guaranteed FBSOA
TO-264 (IXTK)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
Maximum Ratings
1200
1200
± 30
± 40
17
34
V
V
V
V
A
A
G
D
S
PLUS247 (IXTX)
Tab
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
8.5
2.5
700
A
J
W
G
D
S
Tab
T J
T JM
T stg
-55...+150
150
-55...+150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
1.6mm (0.063 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
Mounting torque (IXTK)
Mounting Force (IXTX)
TO-264
PLUS247
300
260
1.13/10
20..120 / 4.5..27
10
6
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Features
Designed for Linear Operations
Guaranteed FBSOA at 60oC
Avalanche Rated
Low R DS(on) HDMOS TM Process
Molding Epoxies Meet UL94 V-0
Flammability Classification
Advantages
Easy to Mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space Savings
High Power Density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
1200
V
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.0
6.0
± 200
V
nA
Applications
Programmable Loads
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
V GS = 20V, I D = 0.5 ? I DSS , Note 1
50 μ A
2 mA
900 m Ω
Current Regulators
DC-DC Convertors
Battery Chargers
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99615B(05/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTX22N100L | MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247 |
| 5120.0306.0 | MODULE PWR ENTRY 10A 250V SCREW |
| B32654A4155K189 | FILM CAP 1.5UF 10% 400V MKP |
| FXO-LC736R-37.5 | OSC 37.5 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32654A7224K189 | FILM CAP 0.22UF 10% 1250V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK180N15 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK200N10L2 | 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK200N10P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK20N140 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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