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参数资料
| 型号： | IXTK17N120L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 8.5A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK17N120L
IXTX17N120L
18
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 20V
35
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 20V
16
14
14V
12V
30
16V
14V
25
12
10
8
10V
9V
20
15
12V
10V
6
10
4
8V
9V
2
0
7V
5
0
8V
7V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
18
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 8.5A Value vs.
Junction Temperature
16
V GS = 20V
14V
12V
2.8
V GS = 20V
14
2.4
12
10V
10
2.0
I D = 17A
8
9V
1.6
I D = 8.5A
6
8V
1.2
4
2
0
7V
6V
5V
0.8
0.4
0
5
10
15
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 8.5A Value vs.
Drain Current
20
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 20V
T J = 125oC
T J = 25oC
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTX22N100L | MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247 |
| 5120.0306.0 | MODULE PWR ENTRY 10A 250V SCREW |
| B32654A4155K189 | FILM CAP 1.5UF 10% 400V MKP |
| FXO-LC736R-37.5 | OSC 37.5 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32654A7224K189 | FILM CAP 0.22UF 10% 1250V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK180N15 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK200N10L2 | 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK200N10P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK20N140 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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