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参数资料
| 型号： | IXTK62N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 62A TO-264 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 390W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK 62N25
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic values
Min. Typ. Max.
TO-264 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 1.5 ? (External)
35
47
5400
1100
400
30
25
115
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
15
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Min.
Inches
Max.
Q G(on)
Q GS
Q GD
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
240
40
120
nC
nC
nC
A
A1
A2
b
b1
b2
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
c
0.53 0.83
.021 .033
R thJC
R thCK
0.15
0.30 K/W
K/W
D
E
e
J
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
K
L
L1
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
.000 .010
.800 .820
.090 .102
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Ratings and Characteristics
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
P
Q
Q1
R
R1
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
I S
V GS = 0V
62
A
S
T
6.04 6.30
1.57 1.83
.238 .248
.062 .072
I SM
V SD
t rr
Q rr
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 30A, -di/dt = 100 A/μs, V R = 100V
360
6
248
1.5
A
V
ns
μ C
Note: IXTK62N25 MOSFET will be
supplied in either package
outline at the discretion of the
vendor.
TO-264 Alternate Outline
Note: Leads and tab are solder
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,381,025
6,162,665
6,306,728 B1 6,534,343
6,683,344
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,486,715
6,259,123 B1 6,404,065 B1
6,583,505
6,710,405B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK75N30 | MOSFET N-CH 300V 75A TO-264 |
| IXTK80N25 | MOSFET N-CH 250V 80A TO-264 |
| IXTK82N25P | MOSFET N-CH 250V 82A TO-264 |
| IXTK8N150L | MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264 |
| IXTK90N15 | MOSFET N-CH 150V 90A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK74N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current MegaMOSFET |
| IXTK75N30 | 功能描述:MOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK80N25 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK82N25P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK88N30P | 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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