- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录463 > IXTK8N150L (IXYS)MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTK8N150L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1500V（1.5kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 欧姆 @ 4A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Linear Power MOSFET
w/Extended FBSOA
IXTK8N150L
IXTX8N150L
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1500V
= 8A
< 3.6 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Guaranteed FBSOA
TO-264(IXTK)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
1500
V
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
1500
± 30
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
Transient
± 40
V
I D25
I DM
P D
T J
T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
8
20
700
-55 to +150
150
A
A
W
° C
° C
PLUS247(IXTX)
T stg
T L
1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s
-55 to +150
300
° C
° C
G
D
S
(TAB)
T SOLD
M d
F C
Weight
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (IXTK)
Mounting Force (IXTX)
TO-264
PLUS247
260
1.13/10
20..120 / 4.5..27
10
6
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
Designed for Linear Operations
International Standard Packages
Guaranteed FBSOA at 60 ° C
Molding Epoxies Meet UL94 V-0
Flammability Classification
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
1500
5.0
8.0
± 200
V
V
nA
Programmable Loads
Current Regulators
DC-DC Convertors
Battery Chargers
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
3 mA
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
R DS(on)
V GS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
3.6
Ω
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99616A(2/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK90N15 | MOSFET N-CH 150V 90A TO-264 |
| IXTL2X180N10T | MOSFET N-CH 100V ISOPLUS I5-PAK |
| IXTL2X200N085T | MOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK |
| IXTL2X220N075T | MOSFET N-CH 75V ISOPLUS I5-PAK |
| IXTL2X240N055T | MOSFET N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK90N15 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK90N25L2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK90P20P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTL10P20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
| IXTL10P50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。