参数资料
型号: IXTK8N150L
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264
标准包装: 25
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1500V(1.5kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.6 欧姆 @ 4A,20V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 250nC @ 15V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8000pF @ 25V
功率 - 最大: 700W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264
包装: 管件
IXTK8N150L
IXTX8N150L
100.0
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area @
T C = 25oC
R DS(on) Limit
25μs
100.0
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 60oC
R DS(on) Limit
10.0
10.0
25μs
100μs
100μs
1ms
10ms
1ms
1.0
100ms
1.0
10ms
100ms
DC
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
0.1
T J = 150oC
T C = 60oC
Single Pulse
DC
10
100
1,000
10,000
10
100
1,000
10,000
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_8N15L(8N)01-30-09
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PDF描述
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参数描述
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