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参数资料
| 型号： | IXTL2X240N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS i4, i5 Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUSi5-Pak? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUSi5-Pak? |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFETs
Common-Gate Pair
IXTL2x240N055T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 55 V
= 2x140 A
≤ 4.4 m Ω
(Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
D
R G
R G
D
ISOPLUS i5-Pak TM (IXTL)
S
G
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Transient
T C = 25 ° C
55
55
± 20
140
V
V
V
A
(Combined die total = 280 A)
I LRMS
Package Current Limit, RMS
75
A
Isolated back
I DM
I AS
E AS
(Combined die total = 150 A)
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
650
25
1.0
A
A
J
D
S
G
S
D
surface
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 175 ° C, R G = 3.3 Ω
3
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
.
F C
Weight
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
50/60 Hz, t = 1 minute, I ISOL < 1 mA, RMS
Mounting force
Package
150
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
2500
30..170 / 7..36
9
W
° C
° C
° C
° C
° C
V
N/lb.
g
Features
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
Automotive
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
55
V
- Motor Drives
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.0
V
- High Side Switch
- 12V Battery
I GSS
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
± 200 nA
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
5 μ A
250 μ A
Primary- Side Switch
High Current Switching
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 50 A, Note 1, 2
4.4 m Ω
Applications
All ratings and parametric values are per each MOSFET die unless otherwise specified.
? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
DS99721 (01/07)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN110N20L2 | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227 |
| IXTN17N120L | MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B |
| IXTN200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 |
| IXTN22N100L | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 |
| IXTN32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTL350 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254 |
| IXTL450 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254 |
| IXTL4P50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-254 |
| IXTL5N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-254 |
| IXTL5P40 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-254 |
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