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参数资料
| 型号： | IXTN32P60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 196nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
PolarP TM
Power MOSFET
P-Channel Enhancement Mode
IXTN32P60P
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
- 600V
- 32A
350m Ω
Avalanche Rated
miniBLOC, SOT-227 (IXTN)
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I AR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
- 600
- 600
± 20
± 30
- 32
- 90
- 32
V
V
V
V
A
A
A
G
S
D
S
E AR
dV/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
3.5
10
J
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
50/60 Hz, RMS t = 1 minute
I ISOL ≤ 1mA t = 1 second
Mounting torque
Terminal Connection torque
890
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
W
° C
° C
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Either source terminal at miniBLOC can
be used as Main or Kelvin Source.
Features
International standard package
Rugged PolarP TM process
Avalanche Rated
Low package inductance
Applications
Hight side switching
Push-pull amplifiers
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
DC Choppers
Automatic test equipment
BV DSS
V GS = 0V, I D = - 250 μ A
- 600
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = - 250 μ A
- 2.5
- 4.5
V
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
- 50 μ A
- 250 μ A
R DS(on)
V GS = -10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
350 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99991(05/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B |
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| IXTN60N50L2 | MOSFET N-CH 53A 500V SOT-227 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXTN36N50 | 功能描述:MOSFET 36 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTN44N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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