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参数资料
| 型号： | IXTN60N50L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 53A 500V SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 53A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 610nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 735W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Linear L2 TM Power
MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTN60N50L2
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
500V
53A
100m Ω
Extended FBSOA
miniBLOC, SOT-227
E153432
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
500
500
V
V
G
S
V GSS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 30
± 40
53
V
V
A
D
S
I DM
I A
E AS
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
50/60 Hz, RMS t = 1 minute
I ISOL ≤ 1mA t = 1 second
Mounting torque
Terminal Connection torque
150
60
3
735
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
A
A
J
W
° C
° C
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
G = Gate D = Drain
S = Source
Either source terminal S can be used as the
source terminal or the Kelvin source (gate
return) terminal.
Features
? Designed for linear operation
? International standard package
? Molding epoxy meets UL94 V-0
flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
Applications
? Programmable loads
? Current regulators
? DC-DC converters
? Battery chargers
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 1mA
V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
500 V
2.5 4.5 V
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 200
nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 30A Note 1
T J = 125 ° C
50 μ A
5 mA
100 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100086(12/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN62N50L | MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227 |
| IXTN90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227 |
| IXTP02N50D | MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220 |
| IXTP05N100M | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 |
| IXTP08N120P | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN61N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET |
| IXTN62N50L | 功能描述:MOSFET 62 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN79N20 | 功能描述:MOSFET 79 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN8N150L | 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN90N25L2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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