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参数资料
| 型号： | IXTP08N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 333pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM
Power MOSFET
IXTA08N120P
IXTP08N120P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1200V
= 0.8A
≤ 25 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (I XTA )
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
1200
1200
V
V
G
S
(TAB)
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 20
± 30
0.8
1.8
V
V
A
A
TO-220 (I XTP )
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
0.8
80
A
mJ
G
D S
(TAB)
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
10
50
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V/ns
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
1.6mm (0.062) from case for 10s
Plastic body for 10s
300
260
° C
° C
International standard packages
Unclamped Inductive Switching
M d
Weight
Mounting torque
TO-263
TO-220
(TO-220)
1.13 / 10
2.50
3.00
Nm/lb.in.
g
g
(UIS) rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications:
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 50 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
1200
2.5
V
4.5 V
± 50 nA
5 μ A
100 μ A
High Voltage Switched-mode and
resonant-mode power supplies
High Voltage Pulse Power Applications
High Voltage Discharge circuits in
Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF
Generators
High Voltage DC-DC converters
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
20.5
25
Ω
High Voltage DC-AC inverters
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99868A (04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP100N04T2 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| IXTP10N60PM | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 |
| IXTP12N50PM | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 |
| IXTP130N065T2 | MOSFET N-CH 65V 130A TO-220 |
| IXTP140N055T2 | MOSFET N-CH 55V 140A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP08N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP100N04T2 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10N60P | 功能描述:MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10N60PM | 功能描述:MOSFET 5.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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