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参数资料
| 型号： | IXTP12N50PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 |
| 产品目录绘图： | Overmolded TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
(Electrically Isolated Tab)
IXTP12N50PM
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500V
= 6A
≤ 500m Ω
≤ 300ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
OVERMOLDED TO-220
(I XTP...M ) OUTLINE
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GS = 1 M Ω
500
500
V
V
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
± 40
6
30
V
V
A
A
G
D
S
Isolated Tab
I A
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J = 150 ° C
T C = 25 ° C
12
600
10
50
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
A
mJ
V/ns
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting torque
300
260
1.13/10
2.5
° C
° C
Nm/lb.in.
g
Plastic overmolded tab for electrical
isolation
International standard package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
Easy to mount
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
500
V
Space savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
5.5
V
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 100 nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 6A, Note 1
T J = 125 ° C
5 μ A
250 μ A
500 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99448F(04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP130N065T2 | MOSFET N-CH 65V 130A TO-220 |
| IXTP140N055T2 | MOSFET N-CH 55V 140A TO-220 |
| IXTP14N60PM | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
| IXTP170N075T2 | MOSFET N-CH 75V 170A TO-220 |
| IXTP18N60PM | MOSFET N-CH TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP130N065T2 | 功能描述:MOSFET 130 Amps 65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP130N10T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id130 BVdass100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP140N055T2 | 功能描述:MOSFET 140 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP140P05T | 功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP14N60P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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