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参数资料
| 型号： | IXTP18N60PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM
Power MOSFET
IXTP18N60PM
V DSS
I D25
R DS(on)
= 600V
= 9A
≤ 420m Ω
(Electrically Isolated Tab)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
OVERMOLDED
(IXTP...M) OUTLINE
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
600
600
± 30
V
V
V
G
DS
Isolated Tab
V GSM
I D25
I DM
I A
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
± 40
9
54
18
V
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T sold
M d
Weight
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 Seconds
Mounting Torque
1
10
90
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13 / 10
2.5
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
Features
Plastic Overmolded Tab for Electrical
Isolation
International Standard Package
Low R DS(on) and Q G
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600
2.5 4.5
V
V
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 9A, Note 1
T J = 125 ° C
± 100 nA
25 μ A
250 μ A
420 m Ω
Robotics and Servo Controls
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99739G(10/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP1N100P | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220 |
| IXTP1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB |
| IXTP1R6N50P | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 |
| IXTP200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-220 |
| IXTP220N075T | MOSFET N-CH 75V 220A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP18P10T | 功能描述:MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N100 | 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N120P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N80 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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