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参数资料
| 型号： | IXTP18N60PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP18N60PM
18
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
40
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
16
8V
35
8V
7V
14
30
7V
12
6V
25
10
20
8
6
15
6V
4
10
2
0
5V
5
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
25
30
18
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J =125oC
V GS = 10V
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 9A Value vs.
Junction Temperature
16
7V
2.8
V GS = 10V
14
12
10
6V
2.4
2.0
I D = 18A
I D = 9A
8
1.6
5V
6
1.2
4
2
0
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 9A Value vs.
Drain Current
10
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
V GS = 10V
9
2.6
2.2
1.8
T J = 125oC
8
7
6
5
4
1.4
T J = 25oC
3
2
1.0
1
0.6
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP1N100P | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220 |
| IXTP1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB |
| IXTP1R6N50P | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 |
| IXTP200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-220 |
| IXTP220N075T | MOSFET N-CH 75V 220A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP18P10T | 功能描述:MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N100 | 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N120P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N80 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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