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参数资料
| 型号： | IXTP18N60PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP18N60PM
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
OVERMOLDED TO-220
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 20V, I D = 9A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
9
16
2500
280
23
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 9A
R G = 5 Ω (External)
21
22
62
22
ns
ns
ns
ns
1
2
3
Q g(on)
50
nC
Q gs
Q gd
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 9A
15
18
nC
nC
R thJC
1.39 ° C/W
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
I F = I S , V GS = 0V, -di/dt = 100A/ μ s
500
18
54
1.5
A
A
V
ns
V R = 100V
Note:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS Reserves the Right to Change Limits,Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP1N100P | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220 |
| IXTP1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB |
| IXTP1R6N50P | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 |
| IXTP200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-220 |
| IXTP220N075T | MOSFET N-CH 75V 220A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP18P10T | 功能描述:MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N100 | 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N120P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N80 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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