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参数资料
| 型号： | IXTP14N60PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM Power
MOSFET
IXTP14N60PM
V DSS
I D25
R DS(on)
= 600V
= 7A
≤ 550m Ω
(Electrically Isolated Tab)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
OVERMOLDED
(I XTP...M ) OUTLINE
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GS = 1 M Ω
600
600
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
Isolated Tab
I D25
I DM
I A
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J = 150 ° C
T C = 25 ° C
7
42
14
900
10
75
A
A
A
mJ
V/ns
W
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
T J
T JM
T stg
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
° C
° C
° C
Plastic overmolded tab for electrical
isolation
International standard package
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting torque
300
260
1.13/10
2.5
° C
° C
Nm/lb.in.
g
Avalanche rated
Fast Intrinsic Diode
Low package inductance
Advantages
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications:
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 7A, Note 1
T J = 125 ° C
600
3.0
V
5.5 V
± 100 nA
5 μ A
100 μ A
550 m Ω
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC motor drives
Robotics and servo controls
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99738F(12/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP170N075T2 | MOSFET N-CH 75V 170A TO-220 |
| IXTP18N60PM | MOSFET N-CH TO-220 |
| IXTP1N100P | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220 |
| IXTP1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB |
| IXTP1R6N50P | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP152N085T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id152 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP15N20T | 功能描述:MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP15N25MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP15N25MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP15N30MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
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