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参数资料
| 型号： | IXTP14N60PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP14N60PM
50
45
Fig. 7. Input Admittance
27
24
Fig. 8. Transconductance
40
21
T J = - 40oC
25oC
35
30
25
T J = 125oC
25oC
- 40oC
18
15
125oC
12
20
15
10
5
0
9
6
3
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
50
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
45
40
35
30
25
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 7A
I G = 10mA
20
15
10
5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
1,000
Ciss
10
25μs
100μs
100
Coss
1ms
10
1
10ms
1
f = 1 MHz
Crss
0
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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