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参数资料
| 型号： | IXTP14N60PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP14N60PM
14
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
30
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
12
10
8
V GS = 10V
9V
8V
27
24
21
18
V GS = 10V
9V
8V
15
6
4
2
7V
12
9
6
3
7V
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
14
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 7A Value
vs. Junction Temperature
12
10
8
V GS = 10V
8V
7V
2.8
2.4
2.0
V GS = 10V
I D = 14A
I D = 7A
6
4
2
0
6V
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 7A Value
vs. Drain Current
8
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
7
6
5
2.2
4
1.8
3
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
2
1
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
IXYS REF: F_14N60P(5J)12-22-08-G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTP15N25MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
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