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参数资料
| 型号： | IXTN60N50L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 53A 500V SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 53A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 610nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 735W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXTN60N50L2
60
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
160
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
55
50
V GS = 20V
14V
12V
140
V GS = 20V
14V
12V
45
10V
9V
120
10V
40
35
30
8V
100
80
9V
25
20
15
10
5
0
7V
6V
5V
60
40
20
0
8V
7V
6V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
5
10
15
20
25
30
60
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 30A Value
vs. Junction Temperature
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 20V
12V
10V
9V
8V
7V
6V
5V
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 60A
I D = 30A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 30A Value
vs. Drain Current
60
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
V GS = 10V
20V
----
T J = 125oC
55
50
45
2.2
2.0
1.8
1.6
40
35
30
25
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF: T_60N50L2(9R)01-20-09-C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN62N50L | MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227 |
| IXTN90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227 |
| IXTP02N50D | MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220 |
| IXTP05N100M | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 |
| IXTP08N120P | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN61N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET |
| IXTN62N50L | 功能描述:MOSFET 62 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN79N20 | 功能描述:MOSFET 79 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN8N150L | 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN90N25L2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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