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参数资料
| 型号： | IXTN46N50L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 46A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Linear Power MOSFET IXTN46N50L
V DSS
= 500
V
With Extended FBSOA
N-Channel Enhancement Mode
D
I D25
R DS(on)
= 46
≤ 0.16
A
Ω
G
S
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXTN)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
Transient
500
500
± 30
± 40
V
V
V
V
E153432
G
S
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
46
100
46
A
A
A
D
S
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
60
1.5
mJ
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
700
-55 to +150
150
-55 to +150
W
° C
° C
° C
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
Features
V ISOL
M d
Weight
50/60 Hz, RMS,
I ISOL ≤ 1 mA,
Mounting torque for Base Plate
Terminal connection torque
T = 1 min
T=1s
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
? Designed for linear operation
? International standard package
? Molding epoxy meets UL94 V-0
flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
? Programmable loads
? Current regulators
? DC-DC converters
? Battery chargers
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 20 V, I D = 0.5 I D25
500
3
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
6
± 200
50
1
0.16
V
V
nA
μ A
mA
Ω
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
Note 1
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99399A(03/07)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227 |
| IXTN60N50L2 | MOSFET N-CH 53A 500V SOT-227 |
| IXTN62N50L | MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227 |
| IXTN90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227 |
| IXTP02N50D | MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN550N055T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXTN58N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET |
| IXTN5N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B |
| IXTN600N04T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXTN60N50L2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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