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参数资料
| 型号： | IXTN200N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTN200N10T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 200A
≤ 5.5 m Ω
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B
E153432
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
100
100
± 20
± 30
200
V
V
V
V
A
G
S
D
S
I LRMS
I DM
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
100
500
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
I A
E AS
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
40
1.5
550
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
A
J
W
° C
° C
° C
° C
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
International standard package
miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
Avalanche Rated
V ISOL
M d
Weight
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1mA
Mounting torque
Terminal connection torque
t = 1min
t = 1s
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Low R DS(ON) and Q G
Low package inductance
Fast intrinsic Rectifier
Advantages
? Low gate charge drive requirement
? High power density
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
100
V
? DC-DC coverters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 50A, Note 1
T J = 150 ° C
2.5
4.5
± 200
5
250
5.5
V
nA
μ A
μ A
m Ω
power supplies
? DC choppers
? AC and DC motor drives
? Uninterrupted power supplies
? High speed power switching
applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99678A(09/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN22N100L | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 |
| IXTN32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 |
| IXTN46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B |
| IXTN550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227 |
| IXTN60N50L2 | MOSFET N-CH 53A 500V SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN21N100 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN21N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXTN22N100L | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN30N100L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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