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参数资料
| 型号： | IXTN200N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227 |
| 包装： | 管件 |
IXTN200N10T
33
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
34
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
32
R G = 3.3 ?
33
R G = 3.3 ?
31
30
V GS = 10V
V DS = 50V
32
31
V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 25oC
29
28
I
D
= 50A
30
29
28
27
27
26
26
T J = 125oC
25
I
D
= 25A
25
24
23
22
24
23
22
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
220
85
42
75
200
180
160
140
120
100
80
60
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 50A
I D = 25A
80
75
70
65
60
55
50
45
40
38
36
34
32
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 25A
I D = 50A
70
65
60
55
50
40
20
0
40
35
30
30
28
45
40
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
38
80
200
300
37
36
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
75
70
180
160
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
275
250
140
225
35
65
120
200
34
T J = 25oC
60
100
I D = 25A
175
33
T J = 25oC
55
80
I
D
= 50A
150
32
50
60
40
125
100
31
30
T J = 125oC
45
40
20
0
75
50
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_200N10T(6V)9-30-08-D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN22N100L | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 |
| IXTN32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 |
| IXTN46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B |
| IXTN550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN21N100 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN21N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXTN22N100L | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN30N100L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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