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参数资料
| 型号： | IXTN200N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227 |
| 包装： | 管件 |
IXTN200N10T
200
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
180
160
140
120
100
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
300
250
200
150
V GS = 10V
9V
8V
7V
60
6V
100
6V
40
20
0
5V
50
0
5V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
1
2
3
4
5
6
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 100A Value
vs. Junction Temperature
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 200A
I D = 100A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 100A Value
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
T J = 25oC
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
External Lead Current Limit
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN22N100L | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 |
| IXTN32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 |
| IXTN46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B |
| IXTN550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227 |
| IXTN60N50L2 | MOSFET N-CH 53A 500V SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN21N100 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN21N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXTN22N100L | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN30N100L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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