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参数资料
| 型号： | IXTK8N150L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1500V（1.5kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 欧姆 @ 4A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK8N150L
IXTX8N150L
11
Fig. 1. Extended Output Characteristics
@ 25oC
8
Fig. 2. Output Characteristics
@ 125oC
10
V GS = 20V
7
V GS = 20V
9
8
7
14V
6
5
12V
6
4
5
4
12V
3
3
2
10V
2
1
0
10V
9V
1
0
9V
8V
0
4
8
12
16
20
24
28
32
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
2.8
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(on) Normalized to I D = 4A Value
vs. Junction Temperature
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 4A Value
vs. Drain Current
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
I D = 8A
2.2
2.0
T J = 125oC
1.8
1.6
I D = 4A
1.8
1.6
V GS = 20V
1.4
1.2
1.4
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
9
8
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
9
8
I D - Amperes
Fig. 6. Input Admittance
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
6
7
8
9
10
11
12
13
14
T C - Degrees Centigrade
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK90N15 | MOSFET N-CH 150V 90A TO-264 |
| IXTL2X180N10T | MOSFET N-CH 100V ISOPLUS I5-PAK |
| IXTL2X200N085T | MOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK |
| IXTL2X220N075T | MOSFET N-CH 75V ISOPLUS I5-PAK |
| IXTL2X240N055T | MOSFET N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK90N15 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK90N25L2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK90P20P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTL10P20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
| IXTL10P50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
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