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参数资料
| 型号： | IXTK75N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 75A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXTK 75N30
Symbol
Test Conditions
Characteristic values
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min.
Typ. Max.
TO-264 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 1.5 ? (External)
45
60
6000
1010
400
24
25
88
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
20
ns
Dim.
Millimeter
Min.
Max.
Min.
Inches
Max.
Q G(on)
Q GS
Q GD
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
240
42
110
nC
nC
nC
A
A1
A2
b
b1
b2
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
c
0.53 0.83
.021 .033
R thJC
0.23 K/W
D
E
25.91 26.16
19.81 19.96
1.020 1.030
.780 .786
R thCK
0.15
K/W
e
J
5.46 BSC
0.00 0.25
.215 BSC
.000 .010
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
(T J = 25°C unless otherwise specified)
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
V GS = 0V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A, -di/dt = 100 A/μs, V R = 100V
360
4
75
300
1.5
A
A
V
ns
μ C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK80N25 | MOSFET N-CH 250V 80A TO-264 |
| IXTK82N25P | MOSFET N-CH 250V 82A TO-264 |
| IXTK8N150L | MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264 |
| IXTK90N15 | MOSFET N-CH 150V 90A TO-264 |
| IXTL2X180N10T | MOSFET N-CH 100V ISOPLUS I5-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK80N25 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK82N25P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK88N30P | 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK8N150L | 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK90N15 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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