参数资料
型号: IXTK80N25
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
标准包装: 25
系列: MegaMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 33 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V
功率 - 最大: 540W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264AA
包装: 管件
IXTK 80N25
Fig . 13. Fo r w ar d Bias e d Saf e Op e r atin g A r e a (FBSOA )
0. 2 4
0. 2 2
0. 2 0
0. 1 8
0. 1 6
0. 1 4
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0. 0 8
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10
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Puls e W idth - millis ec onds
? 2003 IXYS All rights reserved
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PDF描述
IXTK82N25P MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
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IXTL2X200N085T MOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK
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参数描述
IXTK82N25P 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK88N30P 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK8N150L 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK90N15 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK90N25L2 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube