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参数资料
| 型号： | IXTN21N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 500µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXTK 21N100
IXTN 21N100
40
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T J = 25 ° C
V GS = 10V
6V
5V
35
30
25
20
15
10
5
0
T J = 25°C
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.5
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
2.50
1.4
1.3
T J = 25°C
2.25
2.00
1.75
1.2
1.1
1.0
0.9
V GS = 10V
V GS = 15V
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
I D = 12A
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
25
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
20
1.1
V GS(th)
BV DSS
1.0
15
10
0.9
0.8
0.7
5
0.6
0
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CR5310-1 | TRANSDCR VOTAGE DC 0-1VDC IN |
| 9110-18RED | PATCHCORD .025" SQ SCKT RED 18" |
| CR4420S-15 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-15AAC IN |
| CR4420S-0.5 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-0.5AC IN |
| CR4420S-10 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-10AAC IN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN21N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXTN22N100L | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN30N100L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN320N10T | 功能描述:MOSFET 320 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN32P60P | 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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